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山西省科技重大專項“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”取得關鍵技術突破

  • 分類:新聞動態
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  • 來源:
  • 發布時間:2021-12-13 08:18
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【概要描述】2021年10月22日,于英杰副省長到中科潞安考察調研,肯定了企業所取得的成果,勉勵企業再接再厲,加快創新研發,進一步增強市場競爭力,積聚更多發展能量,以科學技術創新引領深紫外LED行業發展。按照省領導指示精神,2021年11月17日,山西省科技廳半導體與新材料科技處赴山西省長治市中科潞安紫外光電科技有限公司,對山西省重大專項“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目進行了現場跟蹤服務。專家組對已完成工作詳細審核和質詢后認為,該項目完成了預期指標,取得了階段性進展和關鍵技術突破。

山西省科技重大專項“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”取得關鍵技術突破

【概要描述】2021年10月22日,于英杰副省長到中科潞安考察調研,肯定了企業所取得的成果,勉勵企業再接再厲,加快創新研發,進一步增強市場競爭力,積聚更多發展能量,以科學技術創新引領深紫外LED行業發展。按照省領導指示精神,2021年11月17日,山西省科技廳半導體與新材料科技處赴山西省長治市中科潞安紫外光電科技有限公司,對山西省重大專項“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目進行了現場跟蹤服務。專家組對已完成工作詳細審核和質詢后認為,該項目完成了預期指標,取得了階段性進展和關鍵技術突破。

  • 分類:新聞動態
  • 作者:
  • 來源:
  • 發布時間:2021-12-13 08:18
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2021年10月22日,于英杰副省長到中科潞安考察調研,肯定了企業所取得的成果,勉勵企業再接再厲,加快創新研發,進一步增強市場競爭力,積聚更多發展能量,以科學技術創新引領深紫外LED行業發展。按照省領導指示精神,2021年11月17日,山西省科技廳半導體與新材料科技處赴山西省長治市中科潞安紫外光電科技有限公司,對山西省重大專項“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目進行了現場跟蹤服務。專家組對已完成工作詳細審核和質詢后認為,該項目完成了預期指標,取得了階段性進展和關鍵技術突破。

 

項目團隊按照計劃開展各項研發工作,系統研究了氮化鋁模板材料的制備工藝,提出了高效P型摻雜新方法,突破了極化誘導摻雜、濺射退火氮化鋁模板和基于芯片微納結構的高效光提取等關鍵技術,深紫外LED芯片的出光效率大幅提升。經第三方檢測,制備的深紫外LED燈珠發光波長小于275nm,內量子效率達到48.13%,光功率達到46.39mW,實現了深紫外LED芯片、燈珠及應用產品批量化生產和銷售。 

 

項目組開發的高效芯片已廣泛應用于長治市高鐵站、機場等示范工程,取得了良好的經濟和社會效益;制定了《消毒用UVC LED術語與定義》等五項標準;相關成果通過了中國電子學會組織的科技成果評價,評價委員會認定該成果研制難度大,創新性強,應用效果顯著,建議在公共安全和疫情防控等領域廣泛應用。深紫外LED項目組將以省科技重大專項的前期研究突破為基礎,進一步研發高光效深紫外LED器件,繼續突破關鍵共性技術,持續提升核心產品競爭力,推動紫外LED應用產品走向千家萬戶。

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